MMBTA64LT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBTA64LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR MMBTA64LT1G 单晶体管双极, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 10000 hFE

PNP 复合，On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MMBTA64LT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -500 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 20000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBTA64LT1G引脚图与封装图

在线购买MMBTA64LT1G

型号： MMBTA64LT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MMBTA64LT1G 单晶体管双极, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 10000 hFE

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替代型号MMBTA64LT1G

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