ON SEMICONDUCTOR MJD122T4G. 达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK, 整卷
NPN 复合，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
额定电压DC 100 V
额定电流 8.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V
最大电流放大倍数hFE 12000
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 4MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, Automotive, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD122T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD122T4 安森美 | 完全替代 | MJD122T4G和MJD122T4的区别 |
MJD122G 安森美 | 类似代替 | MJD122T4G和MJD122G的区别 |
NJVMJD122T4G 安森美 | 类似代替 | MJD122T4G和NJVMJD122T4G的区别 |