MC1413DG

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MC1413DG概述

ON SEMICONDUCTOR  MC1413DG  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MC1413DG中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 30.0 V

额定电流 500 mA

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 50 V

输出电流 500 mA

针脚数 16

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -20 ℃

输入电压 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, 工业, 照明, Lighting, Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Industrial, 电源管理, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MC1413DG
型号: MC1413DG
描述:ON SEMICONDUCTOR  MC1413DG  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
替代型号MC1413DG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MC1413DG

ON Semiconductor 安森美

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MC1413DG和MC1413BDR2G的区别

MC1413BDG

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