NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
NPN 复合，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
电源电压DC 30.0 V
额定电压DC 50.0 V
额定电流 500 mA
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 50 V
输出电流 500 mA
针脚数 16
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -20 ℃
输入电压 30 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
长度 10 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-16
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MC1413DR2G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MC1413BDR2G 安森美 | 完全替代 | MC1413DR2G和MC1413BDR2G的区别 |
ULN2004D1013TR 意法半导体 | 完全替代 | MC1413DR2G和ULN2004D1013TR的区别 |
ULN2003D1013TR 意法半导体 | 类似代替 | MC1413DR2G和ULN2003D1013TR的区别 |