
















ON SEMICONDUCTOR MJD127T4G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 4 MHz, 20 W, -8 A, 2500 hFE
PNP 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
立创商城:
8.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管
得捷:
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
欧时:
### PNP 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
ON Semi MJD127T4G PNP Darlington Transistor; 8 A 100 V HFE:100; 3-Pin DPAK
安富利:
Trans Darlington PNP 100V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 20W; DPAK
Verical:
Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD127T4G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, -100 V, 4 MHz, 20 W, -8 A, 2500 hFE
DeviceMart:
TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
额定电压DC -100 V
额定电流 -8.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V
最大电流放大倍数hFE 12000
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 4MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD127T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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