MMBT6427LT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT6427LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR MMBT6427LT1G 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 200 hFE

NPN 复合，On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MMBT6427LT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 40 V

输出电流 500 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

输入电容 15 pF

击穿电压集电极-发射极 40 V

热阻 556℃/W RθJA

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 100000

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

输入电压 12 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBT6427LT1G引脚图与封装图

在线购买MMBT6427LT1G

型号： MMBT6427LT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MMBT6427LT1G 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 200 hFE

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替代型号MMBT6427LT1G

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