ON SEMICONDUCTOR MMBTA13LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE
NPN 复合，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 125 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 300 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 10000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, Automotive, 工业, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBTA13LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA13LT3G 安森美 | 完全替代 | MMBTA13LT1G和MMBTA13LT3G的区别 |
MMBTA13LT1 安森美 | 完全替代 | MMBTA13LT1G和MMBTA13LT1的区别 |
MPSA13RLRAG 安森美 | 类似代替 | MMBTA13LT1G和MPSA13RLRAG的区别 |