ON SEMICONDUCTOR MMBTA14LT1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE
NPN 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
### NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
得捷:
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
立创商城:
NPN 双极达林顿晶体管
贸泽:
达林顿晶体管 300mA 30V NPN
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR MMBTA14LT1G. 达林顿晶体管, NPN, 300mA, 30V, 整卷
艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
Darlington NPN 30V 300mA HFE:20K SOT23
Jameco:
Trans Darlington NPN 30 Volt 0.3A 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 225mW; SOT23
Verical:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBTA14LT1G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 20000 hFE
Win Source:
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
DeviceMart:
TRANS SS DARL NPN 30V SOT23
频率 125 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 300 mA
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 20000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MMBTA14LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA14LT1 安森美 | 完全替代 | MMBTA14LT1G和MMBTA14LT1的区别 |
MPSA14G 安森美 | 类似代替 | MMBTA14LT1G和MPSA14G的区别 |
MPSA14RLRAG 安森美 | 类似代替 | MMBTA14LT1G和MPSA14RLRAG的区别 |