MMUN2111LT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMUN2111LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

是一款PNP数字, 设计用于替代单器件及外部电阻偏置阵列。偏置电阻晶体管 BRT包含1个晶体管和偏置阵列, 由2个电阻器, 1个串联基极电阻器, 和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上。

.: 简化电路设计

.: 减少电路板占用空间

.: 减少组件数量

MMUN2111LT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

额定功率 246 mW

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 35

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMUN2111LT1G引脚图与封装图

在线购买MMUN2111LT1G

型号： MMUN2111LT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23

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替代型号MMUN2111LT1G

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MMUN2111LT3G 安森美	完全替代	MMUN2111LT1G和MMUN2111LT3G的区别
MMUN2111LT1 安森美	类似代替	MMUN2111LT1G和MMUN2111LT1的区别
PDTA114ET@215 恩智浦	类似代替	MMUN2111LT1G和PDTA114ET@215的区别