MUN5211DW1T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN5211DW1T1G概述

ON SEMICONDUCTOR MUN5211DW1T1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-363

双电阻器双数字，

### 数字晶体管，On Semiconductor

配备电阻器的也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。提供单和双晶体管型号。

MUN5211DW1T1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

电源电压 2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MUN5211DW1T1G引脚图与封装图

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型号： MUN5211DW1T1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MUN5211DW1T1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-363

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替代型号MUN5211DW1T1G

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MUN5211DW1T1 安森美	类似代替	MUN5211DW1T1G和MUN5211DW1T1的区别
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PUMH11,115 恩智浦	功能相似	MUN5211DW1T1G和PUMH11,115的区别