ON SEMICONDUCTOR MMUN2212LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 60-100 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.25W /250mW Description & Applications| Features • Simplifies Circuit Design • Reduces Board Space and Component Count • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 特性 •简化电路设计 •缩小板级空间和元件数量 •这些器件是无铅，无卤/不含BFR，并符合RoHS标准
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMUN2212LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NSVMMUN2212LT1G 安森美 | 完全替代 | MMUN2212LT1G和NSVMMUN2212LT1G的区别 |
MMUN2212LT1 安森美 | 类似代替 | MMUN2212LT1G和MMUN2212LT1的区别 |
FJV3103RMTF 安森美 | 类似代替 | MMUN2212LT1G和FJV3103RMTF的区别 |