MT29F1G08ABAEAH4:E TR

MT29F1G08ABAEAH4:E TR概述

Ic Flash 1gbit 20ns 63vfbga

闪存 - NAND 存储器 IC 1Gb(128M x 8) 并联 63-VFBGA(9x11)


得捷:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA


艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 128M x 8 63-Pin VFBGA


Win Source:
IC FLASH 1GBIT VFBGA


MT29F1G08ABAEAH4:E TR中文资料参数规格
技术参数

位数 8

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 63

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MT29F1G08ABAEAH4:E TR
型号: MT29F1G08ABAEAH4:E TR
制造商: Micron 镁光
描述:Ic Flash 1gbit 20ns 63vfbga
替代型号MT29F1G08ABAEAH4:E TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT29F1G08ABAEAH4:E TR

Micron 镁光

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MT29F1G08ABAEAH4:E

镁光

功能相似

MT29F1G08ABAEAH4:E TR和MT29F1G08ABAEAH4:E的区别

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