FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4117 晶体管, JFET, JFET, 40 V, 30 µA, 90 µA, 1.8 V, SOT-23, JFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 0.03~0.09ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -0.6~-1.8v 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| •N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. Sourced from Process 51. 描述与应用| •N沟道开关 该设备是专为低级别的模拟开关,采样和保持电路斩波stabalized放大器。来源从工艺51。
欧时:
### N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
贸泽:
JFET N-Channel Switch
艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
MMBF4117 系列 40 V 90 uA 表面贴装 N沟道 开关 - SOT-23-3
TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA
Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4117 JFET Transistor, Junction Field Effect, -40 V, 30 µA, 90 µA, -1.8 V, SOT-23, JFET
Win Source:
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
额定电压DC 40.0 V
额定电流 50.0 mA
击穿电压 -40.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
栅源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 50.0 mA
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 3pF @10VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBF4117 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
PMBF4393,215 恩智浦 | 功能相似 | MMBF4117和PMBF4393,215的区别 |
PMBFJ111,215 恩智浦 | 功能相似 | MMBF4117和PMBFJ111,215的区别 |
PMBF4391,215 恩智浦 | 功能相似 | MMBF4117和PMBF4391,215的区别 |