



















FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4392 晶体管, JFET, JFET, -30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -30v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 25~75ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -2~-5v 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| •N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. 描述与应用| •N沟道开关该设备是专为低层次的模拟开关,采样和保持电路,斩波stabalized放大器。
得捷:
JFET N-CH 30V SOT23-3
欧时:
### N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4392.
场效应管, JFET, N沟道, -30V, SOT-23
艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
MMBF4392 系列 30 V 75 mA 表面贴装 N 沟道 开关 - SOT-23
TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 350mW; SOT23; 50mA
Verical:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4392 JFET Transistor, Junction Field Effect, -30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFET
Win Source:
JFET N-CH 30V 0.35W SOT-23
额定电压DC 30.0 V
额定电流 75.0 mA
漏源极电阻 60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 mA
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 14pF @20VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBF4392 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBF4391LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBF4392和MMBF4391LT1G的区别 |
MMBF4393LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBF4392和MMBF4393LT1G的区别 |