ON SEMICONDUCTOR MMBF4392LT1G 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFET
N 通道 JFET,
### JFET
一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
得捷:
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管
欧时:
### N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
贸泽:
JFET 30V 10mA
艾睿:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
Transistor, JFET Switching, 30 VDC, 50 mADC, SOT-23, Pb-Free
安富利:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
N Channel 30 V 50 mA Surface Mount JFET Switching Transistor - SOT-23
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA
Verical:
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBF4392LT1G JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFET
Win Source:
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 -30.0 V
漏源极电阻 60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
输入电容 14 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 14pF @15VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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