MMBF4392LT1G

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MMBF4392LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBF4392LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFET

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3


立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管


欧时:
### N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


贸泽:
JFET 30V 10mA


艾睿:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
Transistor, JFET Switching, 30 VDC, 50 mADC, SOT-23, Pb-Free


安富利:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
N Channel 30 V 50 mA Surface Mount JFET Switching Transistor - SOT-23


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA


Verical:
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBF4392LT1G  JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFET


Win Source:
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23


MMBF4392LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 mA

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 -30.0 V

漏源极电阻 60 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

输入电容 14 pF

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 14pF @15VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBF4392LT1G引脚图与封装图
MMBF4392LT1G引脚图
MMBF4392LT1G封装焊盘图
在线购买MMBF4392LT1G
型号: MMBF4392LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBF4392LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 25 mA, 75 mA, -5 V, SOT-23, JFET
替代型号MMBF4392LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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