ON SEMICONDUCTOR MMBF4393LT1G 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET
N 通道 JFET,
### JFET
一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
得捷:
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管
欧时:
ON Semiconductor MMBF4393LT1G N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 5 → 30mA, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
JFET 30V 10mA
艾睿:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
TRANSISTOR; JFET; N-CHANNEL; SOT-23; 100 OHMS MAX.; 30; 30; -55; +150
安富利:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBF4393LT1G JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET
Win Source:
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 mA
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 -30.0 V
漏源极电阻 100 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
输入电容 14 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 50.0 mA
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 14pF @15VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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