FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ175. 场效应管, JFET, P沟道
The is a P-channel JFET Switch primarily designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers. It offers interchangeable source and drain.
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- 30V Drain-gate voltage
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- -30V Gate-source voltage
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- 50mA Forward gate current
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -50.0 mA
击穿电压 30.0 V
漏源极电阻 125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 30.0 V
栅源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 33.5 mA
击穿电压 30 V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBFJ175 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBFJ175LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBFJ175和MMBFJ175LT1G的区别 |
PMBFJ174,215 恩智浦 | 功能相似 | MMBFJ175和PMBFJ174,215的区别 |