MMBFJ201

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MMBFJ201概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ201  晶体管, JFET, JFET, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 0.2~1ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -0.3~-1.5v 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| N-Channel General Purpose Amplifier • This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. 描述与应用| N-通道通用放大器 •本设备主要用于低级别的音频和通用应用高阻抗信号源设计。


欧时:
### N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Jameco:
Trans JFET N Channel 3-Pin SOT-23 Tape and Reel


富昌:
MMBFJ201系列 40 V 1 mA N沟道 通用 放大器 - SOT-23


TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 40V; 1mA; 350mW; SOT23


Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ201  JFET Transistor, Junction Field Effect, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET


Win Source:
JFET N-CH 40V 350MW SOT23


MMBFJ201中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 50.0 mA

额定功率 350 mW

击穿电压 -40.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 40.0 V

栅源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 600 mA

击穿电压 40 V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 ECL99

数据手册

MMBFJ201引脚图与封装图
MMBFJ201引脚图
MMBFJ201封装焊盘图
在线购买MMBFJ201
型号: MMBFJ201
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBFJ201  晶体管, JFET, JFET, -40 V, 200 µA, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET
替代型号MMBFJ201
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBFJ201

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

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威世

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