ON SEMICONDUCTOR MMBFU310LT1G 晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET
JFET N 通道 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
得捷:
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管
贸泽:
JFET 25V 10mA
艾睿:
The simplest type of field-effect transistor is this MMBFU310LT1G JFET from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 225 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It is made in a single configuration. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBFU310LT1G JFET Transistor, Junction Field Effect, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6 V, SOT-23, JFET
Win Source:
JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
额定电压DC 25.0 V
额定电流 10.0 mA
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 -25.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 25 V
栅源击穿电压 25.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 mA
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 5pF @10VVgs
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBFU310LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBFJ310LT3G 安森美 | 完全替代 | MMBFU310LT1G和MMBFJ310LT3G的区别 |
MMBFJ310LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBFU310LT1G和MMBFJ310LT1G的区别 |
MMBFJ310LT1 安森美 | 类似代替 | MMBFU310LT1G和MMBFJ310LT1的区别 |