FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4091.. 场效应管, N沟道
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 30ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -5~-10v 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| •N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. Sourced from Process 51. 描述与应用| •N沟道开关 该设备是专为低级别的模拟开关,采样和保持电路斩波stabalized放大器。来源从工艺51。
得捷:
MMBF4091 - N-CHANNEL SWITCH
欧时:
### N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4091 JFET Transistor, Junction Field Effect, -40 V, 30 mA, -10 V, SOT-23, JFET
额定电压DC -40.0 V
额定电流 30.0 mA
击穿电压 -40.0 V
漏源极电阻 30 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 mA
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 16pF @20VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBF4091 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |