ON SEMICONDUCTOR MMBFJ175LT1G. 晶体管, JFET, SOT-23封装
P 通道 JFET,
得捷:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
欧时:
ON Semiconductor MMBFJ175LT1G P通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: -7 → -60mA, 3引脚 SOT-23封装
立创商城:
P 沟道 JFET 晶体管,30 V
贸泽:
JFET 25V 10mA
艾睿:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
TRANSISTOR, JEFET; P-CHANNEL; SOT-23; 125 OHMS MAX.; 225 MW @ 25C; -55
安富利:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
MMBFJ175LT1G 系列 P 沟道 25 V JFET 斩波器 - SOT-23
Chip1Stop:
Trans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBFJ175LT1G JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 7 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET
Win Source:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -60.0 mA
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 30.0 V
漏源极电阻 125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 225 mW
输入电容 11 pF
漏源极电压Vds 25.0 V
栅源击穿电压 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 11pF @10VVgs
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MMBFJ175LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBFJ175 安森美 | 完全替代 | MMBFJ175LT1G和MMBFJ175的区别 |
MMBFJ175LT1 安森美 | 类似代替 | MMBFJ175LT1G和MMBFJ175LT1的区别 |