MMBFJ175LT1G

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MMBFJ175LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ175LT1G.  晶体管, JFET, SOT-23封装

P 通道 JFET,


得捷:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor MMBFJ175LT1G P通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: -7 → -60mA, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
P 沟道 JFET 晶体管,30 V


贸泽:
JFET 25V 10mA


艾睿:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
TRANSISTOR, JEFET; P-CHANNEL; SOT-23; 125 OHMS MAX.; 225 MW @ 25C; -55


安富利:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBFJ175LT1G 系列 P 沟道 25 V JFET 斩波器 - SOT-23


Chip1Stop:
Trans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ175LT1G  JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 7 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET


Win Source:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23


MMBFJ175LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -60.0 mA

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 30.0 V

漏源极电阻 125 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 225 mW

输入电容 11 pF

漏源极电压Vds 25.0 V

栅源击穿电压 30 V

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 11pF @10VVgs

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBFJ175LT1G引脚图与封装图
MMBFJ175LT1G引脚图
MMBFJ175LT1G封装焊盘图
在线购买MMBFJ175LT1G
型号: MMBFJ175LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ175LT1G.  晶体管, JFET, SOT-23封装
替代型号MMBFJ175LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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MMBFJ175LT1G和MMBFJ175的区别

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