MMBF4393

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MMBF4393概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4393  晶体管, JFET, JFET, -30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -30v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 5~30ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -0.5~-3v 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| •N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. 描述与应用| •N沟道开关该设备是专为低层次的模拟开关,采样和保持电路,斩波stabalized放大器。


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4393  晶体管, JFET, -30V, 整卷


艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBF4393 系列 30 V 30 mA 表面贴装 N 沟道 开关 - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4393  JFET Transistor, Junction Field Effect, -30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET


Win Source:
JFET N-CH 30V 350MW SOT23


MMBF4393中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 30.0 mA

击穿电压 -30.0 V

漏源极电阻 100 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 30 V

栅源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 mA

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 14pF @20VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBF4393
型号: MMBF4393
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4393  晶体管, JFET, JFET, -30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET
替代型号MMBF4393
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBF4393

Fairchild 飞兆/仙童

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