FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF5460 晶体管, MOSFET, P沟道
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 1~5ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -0.75~-6v 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| P-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. 描述与应用| P-通道通用放大器 此设备的设计主要是低层次的音频和一般 高阻抗信号源的用途。
贸泽:
JFET P-Channel Transistor General Purpose
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF5460 晶体管, MOSFET, P沟道
艾睿:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
MMBF5460系列 40 V 1 mA P沟道 通用 放大器 - SOT-23-3
Verical:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF5460 MOSFET Transistor, P Channel, 10 mA
Win Source:
JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -10.0 mA
极性 P-Channel
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 40.0 V
栅源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 mA
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBF5460 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBF5460LT1 安森美 | 功能相似 | MMBF5460和MMBF5460LT1的区别 |
MMBF5460LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBF5460和MMBF5460LT1G的区别 |