MMBF5460

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MMBF5460概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF5460  晶体管, MOSFET, P沟道

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 1~5ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -0.75~-6v 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| P-Channel General Purpose Amplifier This device is designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. 描述与应用| P-通道通用放大器 此设备的设计主要是低层次的音频和一般 高阻抗信号源的用途。


贸泽:
JFET P-Channel Transistor General Purpose


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF5460  晶体管, MOSFET, P沟道


艾睿:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBF5460系列 40 V 1 mA P沟道 通用 放大器 - SOT-23-3


Verical:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF5460  MOSFET Transistor, P Channel, 10 mA


Win Source:
JFET P-CH 40V 0.225W SOT23


MMBF5460中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -10.0 mA

极性 P-Channel

耗散功率 225 mW

漏源极电压Vds 40.0 V

栅源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 mA

击穿电压 40 V

输入电容Ciss 7pF @15VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBF5460
型号: MMBF5460
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF5460  晶体管, MOSFET, P沟道
替代型号MMBF5460
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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