MMBFJ310LT1G

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MMBFJ310LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ310LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


欧时:
N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23


立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管


贸泽:
JFET 25V 10mA


艾睿:
Are you looking for a device with a high input electrical resistance? ON Semiconductor brings you their MMBFJ310LT1G JFET transistor. Its maximum power dissipation is 225 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.


Allied Electronics:
MMBFJ310LT1G N-channel JFET Transistor; 25 V; Idss 24 to 60mA; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
JFET Transistor, Junction Field Effect, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET


DeviceMart:
JFET SS N-CHAN 25V SOT23


Win Source:
JFET N-CH 25V 60MA SOT23


MMBFJ310LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 60 mA

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 25.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

栅源击穿电压 25 V

增益 12 dB

测试电流 10 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBFJ310LT1G
型号: MMBFJ310LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBFJ310LT1G  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET
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