ON SEMICONDUCTOR MMBFJ310LT1G 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET
N 通道 JFET,
### JFET
一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
欧时:
N 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
得捷:
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管
贸泽:
JFET 25V 10mA
艾睿:
Are you looking for a device with a high input electrical resistance? ON Semiconductor brings you their MMBFJ310LT1G JFET transistor. Its maximum power dissipation is 225 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.
Allied Electronics:
MMBFJ310LT1G N-channel JFET Transistor; 25 V; Idss 24 to 60mA; 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans JFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 25V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
JFET Transistor, Junction Field Effect, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, JFET
DeviceMart:
JFET SS N-CHAN 25V SOT23
Win Source:
JFET N-CH 25V 60MA SOT23
额定电压DC 25.0 V
额定电流 60 mA
无卤素状态 Halogen Free
击穿电压 25.0 V
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
栅源击穿电压 25 V
增益 12 dB
测试电流 10 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
额定电压 25 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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