一瓦放大器晶体管 One Watt Amplifier Transistors
- 双极 BJT - 单
得捷:
TRANS NPN SS GP 1W 80V TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V 1W NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 1 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 60 @250mA, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSW06RLRA ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSW06RLRAG 安森美 | 类似代替 | MPSW06RLRA和MPSW06RLRAG的区别 |
SSTA06T116 罗姆半导体 | 功能相似 | MPSW06RLRA和SSTA06T116的区别 |
MPSA06-AP 美微科 | 功能相似 | MPSW06RLRA和MPSA06-AP的区别 |