MMBT3904LT3G

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MMBT3904LT3G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G.  射频双极性晶体管

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MMBT3904LT3G , NPN 晶体管, 900 mA, Vce=40 V, HFE:30, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3


立创商城:
MMBT3904LT3G


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 60V NPN


e络盟:
射频双极性晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
Transistor NPN 40V 200mA SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 300 MHz, 300 mW, 200 mA, 300 hFE


Win Source:
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23


MMBT3904LT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

额定功率 300 mW

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBT3904LT3G引脚图与封装图
MMBT3904LT3G引脚图
MMBT3904LT3G封装焊盘图
在线购买MMBT3904LT3G
型号: MMBT3904LT3G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBT3904LT3G.  射频双极性晶体管
替代型号MMBT3904LT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT3904LT3G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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