MMUN2231LT1G

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MMUN2231LT1G概述

MMUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm NPN 硅 偏置电阻 晶体管 - SOT-23

双电阻器数字 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### 数字晶体管,On Semiconductor

配备电阻器的也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

MMUN2231LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMUN2231LT1G引脚图与封装图
MMUN2231LT1G引脚图
MMUN2231LT1G封装图
MMUN2231LT1G封装焊盘图
在线购买MMUN2231LT1G
型号: MMUN2231LT1G
描述:MMUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm NPN 硅 偏置电阻 晶体管 - SOT-23
替代型号MMUN2231LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMUN2231LT1G

ON Semiconductor 安森美

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完全替代

MMUN2231LT1G和MMUN2231LT1的区别

MUN2231T1G

安森美

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