ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT3G 双极性晶体管, PNP, -60V, SOT-23, 整卷
小信号 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor MMBT2907ALT3G , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
得捷:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
立创商城:
MMBT2907ALT3G
e络盟:
Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 50 hFE
艾睿:
Implement this PNP MMBT2907ALT3G GP BJT from ON Semiconductor to add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit design. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
Allied Electronics:
Transistor PNP 60V 600mA SOT23
安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT3G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 100 hFE
Win Source:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23
DeviceMart:
TRANS PNP GP 60V 600MA SOT-23
频率 200 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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