极性 N-CH
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 74 ns
输入电容Ciss 741pF @25VVds
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
材质 Silicon
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
RoHS标准 Non-Compliant
数据手册
MTD10N10EL
ON Semiconductor 安森美
当前型号
MTD10N10ELT4
安森美
功能相似
NTD6600NT4G
NTD6600N-1G