MTD10N10EL

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MTD10N10EL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 74 ns

输入电容Ciss 741pF @25VVds

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

封装 DPAK-252

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买MTD10N10EL
型号: MTD10N10EL
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:TMOS E- FET功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
替代型号MTD10N10EL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MTD10N10EL

ON Semiconductor 安森美

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