













ON SEMICONDUCTOR MTD5P06VT4G 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V
P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,
得捷:
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MTD5P06VT4G, 5 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
MTD5P06VT4G P-channel MOSFET Transistor, 5 A, 60 V, 3-Pin DPAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
力源芯城:
-5A,-60V,P沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
DeviceMart:
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -5.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 40 W
阈值电压 2.8 V
输入电容 510 pF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 510pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 40W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2018/01/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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