MTD5P06VT4G

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MTD5P06VT4G概述

ON SEMICONDUCTOR  MTD5P06VT4G  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V

P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,


得捷:
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK


欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MTD5P06VT4G, 5 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
MTD5P06VT4G P-channel MOSFET Transistor, 5 A, 60 V, 3-Pin DPAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


力源芯城:
-5A,-60V,P沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK


DeviceMart:
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK


MTD5P06VT4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -5.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 2.8 V

输入电容 510 pF

栅电荷 20.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 510pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2018/01/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MTD5P06VT4G
型号: MTD5P06VT4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MTD5P06VT4G  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V
替代型号MTD5P06VT4G
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