MMUN2116LT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMUN2116LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR MMUN2116LT1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23

通用 NPN ，最大 1A，

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MMUN2116LT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMUN2116LT1G引脚图与封装图

在线购买MMUN2116LT1G

型号： MMUN2116LT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MMUN2116LT1G 晶体管双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, SOT-23

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替代型号MMUN2116LT1G

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MMUN2113LT1G 安森美	类似代替	MMUN2116LT1G和MMUN2113LT1G的区别