低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon
- 双极 BJT - 单 NPN 45 V 200 mA 160MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）
得捷:
TRANS NPN 45V 0.2A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 200mA 45V NPN Low Noise
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 200mA; 600mW; TO92
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
频率 100 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 200 mA
额定功率 600 mW
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 160 MHz
集电极击穿电压 45.0 V
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 500 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSA18RLRAG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSA18RLRA 安森美 | 完全替代 | MPSA18RLRAG和MPSA18RLRA的区别 |
MPSA18RLRM 安森美 | 完全替代 | MPSA18RLRAG和MPSA18RLRM的区别 |
MPS6521 安森美 | 类似代替 | MPSA18RLRAG和MPS6521的区别 |