MPSA18RLRAG参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPSA18RLRAG概述

低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon

- 双极 BJT - 单 NPN 45 V 200 mA 160MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

得捷:
TRANS NPN 45V 0.2A TO92

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 200mA 45V NPN Low Noise

艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R

TME:
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 200mA; 600mW; TO92

Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R

MPSA18RLRAG中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 200 mA

额定功率 600 mW

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 160 MHz

集电极击穿电压 45.0 V

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 500 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPSA18RLRAG

型号： MPSA18RLRAG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：低噪声晶体管NPN硅 Low Noise Transistor NPN Silicon

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替代型号MPSA18RLRAG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MPSA18RLRAG ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MPSA18RLRA 安森美	完全替代	MPSA18RLRAG和MPSA18RLRA的区别
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