ON SEMICONDUCTOR MPSW42G 双极晶体管
One Watt High Voltage Transistor
NPN Silicon
Features
• Pb−Free Packages are Available 得捷:
TRANS NPN 300V 0.5A TO92
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR MPSW42G 双极晶体管
艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Box
安富利:
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 3-Pin TO-92 Box
Verical:
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Box
频率 50 MHz
额定电压DC 300 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MPSW42G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSW42RLRA 安森美 | 完全替代 | MPSW42G和MPSW42RLRA的区别 |
KSP42BU 安森美 | 类似代替 | MPSW42G和KSP42BU的区别 |