PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 22KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 22KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 100 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.4W/400mW Description & Applications| FEATURES •bias resistor transistors •PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space •Reduces Component Count •The SOT-23 package can be soldered using wave or reflow. The modified gull-winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die. •Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel. Replace “T1” with “T3” in the Device Number to order the 13 inch/10,000 unit reel 描述与应用| 特点 •偏置电阻 •PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量SOT-23封装,可以使用波或回流焊接。该改性鸥翅引线在焊接热应力吸收消除电路小片损坏的可能性。 •可在8 mm压纹带和卷轴。使用设备号到责令7 inch/3000的单位卷轴。替换“T1”与“T3”设备编号责令13 inch/10的000个单位卷轴
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMUN2112LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2112LT1 安森美 | 类似代替 | MMUN2112LT1G和MMUN2112LT1的区别 |
DTA124EKAT146 罗姆半导体 | 功能相似 | MMUN2112LT1G和DTA124EKAT146的区别 |
PDTA124ET,215 恩智浦 | 功能相似 | MMUN2112LT1G和PDTA124ET,215的区别 |