ON SEMICONDUCTOR MMUN2114LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23
双电阻器数字 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
立创商城:
PNP 双极数字晶体管 BRT
欧时:
### 双电阻器数字 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1:10kΩ
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMUN2114LT1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 Ratio, SOT-23
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMUN2114LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN2113T1 安森美 | 完全替代 | MMUN2114LT1G和MUN2113T1的区别 |
MMUN2114LT3G 安森美 | 完全替代 | MMUN2114LT1G和MMUN2114LT3G的区别 |
SMUN2113T1 安森美 | 完全替代 | MMUN2114LT1G和SMUN2113T1的区别 |