ON SEMICONDUCTOR MMUN2133LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 10 电阻比率, SOT-23
双电阻器数字 PNP ，
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### 数字晶体管，On Semiconductor
配备电阻器的也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMUN2133LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2133LT1 安森美 | 类似代替 | MMUN2133LT1G和MMUN2133LT1的区别 |
PDTA143TT@215 恩智浦 | 类似代替 | MMUN2133LT1G和PDTA143TT@215的区别 |
PDTA143XT@215 恩智浦 | 类似代替 | MMUN2133LT1G和PDTA143XT@215的区别 |