MMBZ9V1AL

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MMBZ9V1AL概述

NXP  MMBZ9V1AL  静电保护装置, TVS, 14 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW

The is a low capacitance unidirectional double ESD Protection Diode in a common anode configuration. The device is designed for ESD and transient overvoltage protection of up to two signal lines.

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Unidirectional ESD protection of two lines
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ESD protection up to 30kV contact discharge
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Bidirectional ESD protection of one line
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IEC 61000-4-2, level 4 ESD
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* 40W Rated peak pulse power PPPM
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5nA Ultra low leakage current IRM
MMBZ9V1AL中文资料参数规格
技术参数

工作电压 900 mV

针脚数 3

耗散功率 360 mW

钳位电压 14 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 24 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.1 mm

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Portable Devices, Consumer Electronics, Automotive, Computers & Computer Peripherals, Imaging, Audio, Video & Vision

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MMBZ9V1AL
型号: MMBZ9V1AL
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  MMBZ9V1AL  静电保护装置, TVS, 14 V, TO-236AB, 3 引脚, 900 mV, 360 mW

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