MMSD301T1G

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MMSD301T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMSD301T1G  二极管, 射频肖特基, 屏障, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOD-123

肖特基势垒,最大 900mA,

### 标准

带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123


立创商城:
肖特基二极管 UHF 30 V


欧时:
ON Semiconductor 二极管 MMSD301T1G 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 2引脚 SOD-123封装


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MMSD301T1G.  肖特基整流二极管, 200mA, 30V, SOD-123


艾睿:
RF Diode Schottky 30V 225mW 2-Pin SOD-123 T/R


安富利:
Diode Schottky 30V 0.2A 2-Pin SOD-123 T/R


Chip1Stop:
Diode Schottky 30V 0.2A Automotive 2-Pin SOD-123 T/R


Verical:
Diode Schottky 30V 0.2A Automotive 2-Pin SOD-123 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMSD301T1G  RF Schottky Diode, Barrier, Single, 30 V, 200 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOD-123


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123


MMSD301T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

电容 0.9 pF

输出电流 ≤200 mA

正向电压 600mV @10mA

极性 Standard

耗散功率 225 mW

正向电流 200 mA

正向电压Max 600 mV

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123

外形尺寸

长度 2.84 mm

宽度 1.8 mm

高度 1.25 mm

封装 SOD-123

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Sensing & Instrumentation, 传感与仪器, RF Communications, 射频通信

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMSD301T1G引脚图与封装图
MMSD301T1G引脚图
MMSD301T1G封装焊盘图
在线购买MMSD301T1G
型号: MMSD301T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMSD301T1G  二极管, 射频肖特基, 屏障, 单, 30 V, 200 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOD-123
替代型号MMSD301T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMSD301T1G

ON Semiconductor 安森美

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