FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA06 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
The is an NPN General-purpose Amplifier designed for general-purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA.
欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SOT-23 NPN GEN PUR
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA06 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
MMBTA06系列 80 V CE击穿 0.5 A NPN 通用 放大器 - SOT-23
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 350mW; SOT23
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA06 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
Win Source:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
频率 100 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 500 mA
额定功率 350 mW
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
集电极击穿电压 80.0 V
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.35 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBTA06 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA06_L98Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | MMBTA06和MMBTA06_L98Z的区别 |
MMBT5551 飞兆/仙童 | 类似代替 | MMBTA06和MMBT5551的区别 |
MMBTA06_D87Z 飞兆/仙童 | 类似代替 | MMBTA06和MMBTA06_D87Z的区别 |