MMBTA06

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MMBTA06概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA06  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE

The is an NPN General-purpose Amplifier designed for general-purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA.


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SOT-23 NPN GEN PUR


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA06  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBTA06系列 80 V CE击穿 0.5 A NPN 通用 放大器 - SOT-23


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 350mW; SOT23


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA06  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23


Win Source:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23


MMBTA06中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

额定功率 350 mW

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 350 mW

集电极击穿电压 80.0 V

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.35 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBTA06
型号: MMBTA06
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTA06  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE
替代型号MMBTA06
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBTA06

Fairchild 飞兆/仙童

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MMBTA06_L98Z

飞兆/仙童

完全替代

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