ON SEMICONDUCTOR MMBTA56LT3G 单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE
小信号 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
立创商城:
MMBTA56LT3G
欧时:
ON Semiconductor MMBTA56LT3G , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
ON Semi MMBTA56LT3G PNP Bipolar Transistor; 0.5 A; 80 V; 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
MMBT Series 80 V 500 mA Surface Mount PNP Silicon Driver Transistor - SOT-23-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBTA56LT3G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE
Win Source:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
频率 50 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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