MMBTA56LT3G

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MMBTA56LT3G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56LT3G  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE

小信号 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3


立创商城:
MMBTA56LT3G


欧时:
ON Semiconductor MMBTA56LT3G , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=80 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
ON Semi MMBTA56LT3G PNP Bipolar Transistor; 0.5 A; 80 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBT Series 80 V 500 mA Surface Mount PNP Silicon Driver Transistor - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56LT3G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE


Win Source:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23


MMBTA56LT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -500 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBTA56LT3G引脚图与封装图
MMBTA56LT3G引脚图
MMBTA56LT3G封装焊盘图
在线购买MMBTA56LT3G
型号: MMBTA56LT3G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56LT3G  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE
替代型号MMBTA56LT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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