FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA13 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-EmitterVoltageVCEO| 30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 10000 @ 5V,0.1A 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| 1.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| • This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. 描述与应用| •为需要集电流增益可达到1A而设计
得捷:
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA13 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE
艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
MMBTA13系列 30 V CE击穿 1.2 A NPN 达林顿晶体管 - SOT-23
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 350mW; SOT23
Verical:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA13 Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE
Win Source:
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23
DeviceMart:
TRANSISTOR DARL NPN 1.2A SOT-23
频率 125 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.20 A
额定功率 350 mW
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 10000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MMBTA13 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA13_D87Z 飞兆/仙童 | 完全替代 | MMBTA13和MMBTA13_D87Z的区别 |
KST13MTF 飞兆/仙童 | 类似代替 | MMBTA13和KST13MTF的区别 |
MMBTA13LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBTA13和MMBTA13LT1G的区别 |