MMBTA06WT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBTA06WT1G概述

ON SEMICONDUCTOR MMBTA06WT1G 单晶体管双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 150 mW, 500 mA, 100 hFE

The is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.

.: Moisture sensitivity level-1

.: AEC-Q101 qualified and PPAP capable

.: >4kV Human body model and >400V machine model - ESD rating

MMBTA06WT1G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBTA06WT1G引脚图与封装图

在线购买MMBTA06WT1G

型号： MMBTA06WT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MMBTA06WT1G 单晶体管双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 150 mW, 500 mA, 100 hFE

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替代型号MMBTA06WT1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBTA06WT1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
SMMBTA06WT1G 安森美	完全替代	MMBTA06WT1G和SMMBTA06WT1G的区别
MMBTA06WT1 安森美	完全替代	MMBTA06WT1G和MMBTA06WT1的区别
MMSTA06-7-F 美台	功能相似	MMBTA06WT1G和MMSTA06-7-F的区别