

















FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5087 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 40 MHz, 350 mW, -100 mA, 250 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 40MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 250~800 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP General Purpose Amplifier • This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA. 描述与应用| PNP通用放大器 该设备是专为低层次,高增益,低噪声通用放大器应用在集电极电流为50mA。
频率 40 MHz
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT5087 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT5087LT3G 安森美 | 功能相似 | MMBT5087和MMBT5087LT3G的区别 |