MMBT5087LT1G

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MMBT5087LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBT5087LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFE

- 双极 BJT - 单 PNP 50 V 50 mA 40MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)


欧时:
SS SOT23 LN XSTR PNP 50V


得捷:
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3


立创商城:
PNP 双极晶体管


艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
TRANSISTOR; 300MW DISSIPATION; SOT-23


安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT5087LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, -50 V, 40 MHz, 300 mW, -50 mA, 40 hFE


Win Source:
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23


DeviceMart:
TRANS GP SS PNP LN 50V SOT23


MMBT5087LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -50.0 mA

额定功率 300 mW

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBT5087LT1G引脚图与封装图
MMBT5087LT1G引脚图
MMBT5087LT1G封装焊盘图
在线购买MMBT5087LT1G
型号: MMBT5087LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBT5087LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFE
替代型号MMBT5087LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT5087LT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMBT5087LT1

安森美

完全替代

MMBT5087LT1G和MMBT5087LT1的区别

2N5087RLRAG

安森美

类似代替

MMBT5087LT1G和2N5087RLRAG的区别

MMBT5087LT3G

安森美

类似代替

MMBT5087LT1G和MMBT5087LT3G的区别

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