MMBT5088

MMBT5088图片1
MMBT5088图片2
MMBT5088图片3
MMBT5088图片4
MMBT5088图片5
MMBT5088图片6
MMBT5088图片7
MMBT5088图片8
MMBT5088图片9
MMBT5088图片10
MMBT5088图片11
MMBT5088图片12
MMBT5088图片13
MMBT5088概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5088  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 350 mW, 100 mA, 300 hFE

The is a NPN Bipolar Transistor General designed for low noise, high gain and general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50mA.

.
-55 to 150°C Operating junction temperature range

得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBT5088系列 30 V CE击穿 0.1 A NPN 通用 放大器 - SOT-23


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5088  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 50 MHz, 350 mW, 100 mA, 300 hFE


Win Source:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23


DeviceMart:
TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23


MMBT5088中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 350 mW

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V

最大电流放大倍数hFE 900

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT5088
型号: MMBT5088
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5088  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 350 mW, 100 mA, 300 hFE
替代型号MMBT5088
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT5088

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MMBT6429LT1G

安森美

功能相似

MMBT5088和MMBT6429LT1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台