MMBT100

MMBT100图片1
MMBT100图片2
MMBT100图片3
MMBT100图片4
MMBT100图片5
MMBT100图片6
MMBT100图片7
MMBT100图片8
MMBT100图片9
MMBT100图片10
MMBT100图片11
MMBT100图片12
MMBT100图片13
MMBT100图片14
MMBT100图片15
MMBT100图片16
MMBT100图片17
MMBT100图片18
MMBT100概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT100  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 250 MHz, 350 mW, 500 mA, 80 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 75V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 250Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~400mV 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| • This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. • Sourced from process 10. 描述与应用| •本设备是专为通用放大器 应用在集电极电流300mA的电流。

MMBT100中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 5V

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.97 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT100
型号: MMBT100
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT100  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 250 MHz, 350 mW, 500 mA, 80 hFE
替代型号MMBT100
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT100

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MMBT6429LT1G

安森美

功能相似

MMBT100和MMBT6429LT1G的区别

BC817-40,215

恩智浦

功能相似

MMBT100和BC817-40,215的区别

MMBT6429LT1

安森美

功能相似

MMBT100和MMBT6429LT1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台