ON SEMICONDUCTOR MMBT489LT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 310 mW, 1 A, 300 hFE
通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
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高电流 NPN 双极晶体管
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### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR MMBT489LT1G. 双极性晶体管, NPN, 30V SOT-23, 整卷
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBT489LT1G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 100 MHz, 310 mW, 1 A, 300 hFE
Win Source:
TRANS NPN 30V 1A SOT23
DeviceMart:
TRANS GP SS NPN GP 30V 1A SOT23
频率 100 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 310 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 5V
额定功率Max 710 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 710 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理, 便携式器材
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBT489LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NSS30101LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT489LT1G和NSS30101LT1G的区别 |
FMMT489TA 美台 | 功能相似 | MMBT489LT1G和FMMT489TA的区别 |
MMBT489LT1 安森美 | 功能相似 | MMBT489LT1G和MMBT489LT1的区别 |