MMBT489LT1G

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MMBT489LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBT489LT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 310 mW, 1 A, 300 hFE

通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,


立创商城:
高电流 NPN 双极晶体管


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MMBT489LT1G.  双极性晶体管, NPN, 30V SOT-23, 整卷


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT489LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 100 MHz, 310 mW, 1 A, 300 hFE


Win Source:
TRANS NPN 30V 1A SOT23


DeviceMart:
TRANS GP SS NPN GP 30V 1A SOT23


MMBT489LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 2.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 310 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 5V

额定功率Max 710 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 710 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理, 便携式器材

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBT489LT1G引脚图与封装图
MMBT489LT1G引脚图
MMBT489LT1G封装焊盘图
在线购买MMBT489LT1G
型号: MMBT489LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBT489LT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 310 mW, 1 A, 300 hFE
替代型号MMBT489LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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