MMBT5088LT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT5088LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR MMBT5088LT1G 单晶体管双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE

低噪声双极，

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MMBT5088LT1G中文资料参数规格

技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBT5088LT1G引脚图与封装图

在线购买MMBT5088LT1G

型号： MMBT5088LT1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MMBT5088LT1G 单晶体管双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE

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替代型号MMBT5088LT1G

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