MMBTA56LT1G

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MMBTA56LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56LT1G.  双极性晶体管, PNP -80V SOT-23

小信号 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


立创商城:
MMBTA56LT1G


得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3


欧时:
小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
Transistor; Bipolar; Si; PNP; Driver; VCEO -80VDC; IC -500mA; PD 225mW; SOT-23; hFE 100


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 225mW; SOT23


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, -80 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 50 hFE


Win Source:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23


DeviceMart:
TRANS DRIVER SS PNP 80V SOT23


MMBTA56LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -500 mA

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, ??, Industrial, ????, 电源管理, Power Management, Automotive, Industrial, Power Management, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBTA56LT1G引脚图与封装图
MMBTA56LT1G引脚图
MMBTA56LT1G封装焊盘图
在线购买MMBTA56LT1G
型号: MMBTA56LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBTA56LT1G.  双极性晶体管, PNP -80V SOT-23
替代型号MMBTA56LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBTA56LT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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MMBTA56LT1

安森美

完全替代

MMBTA56LT1G和MMBTA56LT1的区别

MPSA56RLRAG

安森美

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