ON SEMICONDUCTOR MMBTA56LT1G. 双极性晶体管, PNP -80V SOT-23
小信号 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
立创商城:
MMBTA56LT1G
得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
欧时:
小信号 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
Transistor; Bipolar; Si; PNP; Driver; VCEO -80VDC; IC -500mA; PD 225mW; SOT-23; hFE 100
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 225mW; SOT23
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, -80 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 50 hFE
Win Source:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
DeviceMart:
TRANS DRIVER SS PNP 80V SOT23
频率 50 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, ??, Industrial, ????, 电源管理, Power Management, Automotive, Industrial, Power Management, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBTA56LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA56LT1 安森美 | 完全替代 | MMBTA56LT1G和MMBTA56LT1的区别 |
MPSA56RLRAG 安森美 | 类似代替 | MMBTA56LT1G和MPSA56RLRAG的区别 |