MLG1005S6N2S

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MLG1005S6N2S概述

TDK  MLG1005S6N2S  表面贴装高频电感器, MLG系列, 6.2 nH, ± 0.3nH, 0402 [1005 公制], 4 GHz, 0.25 ohm

Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 6.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 250mOhm DCR 0402 T/R


e络盟:
高频电感器, 6.2 nH, MLG系列, 600 mA, 0402 [1005 公制], 多层, 0.25 ohm


艾睿:
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 6.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 250mOhm DCR 0402 T/R


安富利:
Ind High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 6.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 0402


Chip1Stop:
Ind High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 6.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 0402


TME:
Inductor: ceramic; SMD; 0402; 6.2nH; 600mA; 160mΩ; Q:8; ftest:100MHz


Newark:
# TDK  MLG1005S6N2S  Surface Mount High Frequency Inductor, MLG Series, 6.2 nH, 600 mA, 0402 [1005 Metric], Multilayer


MASTER:
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 6.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 250mOhm DCR 0402 T/R


Electro Sonic:
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 6.2nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 600mA 250mOhm DCR 0402 T/R


MLG1005S6N2S中文资料参数规格
技术参数

电感 6.2 nH

自谐频率 4.70 GHz

Q值 8.0

电阻 160 mΩ

共振频率 4.70 GHz

屏蔽 No

电感公差 ±0.3 nH

测试频率 100 MHz

电阻DC) ≤300.0 mΩ

额定电流DC 600 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电阻DC Max 0.25 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1.00 mm

宽度 500 µm

高度 0.55 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

重量 1.00 mg

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8504508000

数据手册

MLG1005S6N2S引脚图与封装图
MLG1005S6N2S引脚图
MLG1005S6N2S封装图
MLG1005S6N2S封装焊盘图
在线购买MLG1005S6N2S
型号: MLG1005S6N2S
制造商: TDK 东电化
描述:TDK  MLG1005S6N2S  表面贴装高频电感器, MLG系列, 6.2 nH, ± 0.3nH, 0402 [1005 公制], 4 GHz, 0.25 ohm
替代型号MLG1005S6N2S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MLG1005S6N2S

TDK 东电化

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当前型号

MCWL02JT6N2

Multicomp

功能相似

MLG1005S6N2S和MCWL02JT6N2的区别

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